离子性载流子包括单位中含有的离子性杂质、聚合催化剂残留物，由于聚合物链的热分解、聚合物侧链及链端的热解离所生成的低分子离子及稳定剂、填充剂中的杂质离子等。低分子物由于热激发而离子化时所产生的正、负离子载流子的浓度n是相等的，并可用式(1—13)来表示：

    电子或空穴载流子的产生主要可分为以下两类，即价带
(满带)中的电子被直接激发至导带(所谓本征载流子的产生)和满带能级所束缚的电子被激发经过禁带至导带(称为非
本征载流子的产生)。当用比AE。能量大的光照射时，粘尘垫表面附近产生的电子浓度很大，因而电子与空穴相互碰撞复合的几
率增大，导致光电流减低。这时，粘尘垫的吸收光谱与光导作用的光谱
出现峰一谷相对应的关系，称之为“反相”关系，而出现峰一峰或谷一谷对应时，则称为“同相”关系。在某些情况下，电子从导带激发后并
不变成自由电子，而是与同时生成的空穴配对，由(]oulomb相互作用组成电子一空穴对，称为激子。激子可自行离解或因由于热激发、场作用，与表面或离解中心发生碰撞而离子化成为自由离子载流子。
非本征载流子的产生一般要在粘尘垫中掺杂，使之生成电荷转移复合物或使电极的载流子注入来实现。如图1—4所示，用对苯二甲酸二
甲酯掺杂到聚乙烯咔唑(PVK)中形成以PVK为给体，对苯二甲酸二甲酯为受体的电荷转移型(cT)复合物的光导作用光谱。由于cT复
合物的形成，在小于380nm的短波区，空穴电流i：和电子电流ii都增加2～5倍。由于咔唑环受光激发成D‘并与A形成cT激发态D’
A，经过能量较高的激发态(D’A一)一而形成D’…A一离子对。在外电场作用下，D’A一离子分解为自由的D’(空穴载流子)和A一(电
子载流子)。电极载流子注入法是将金属电极与高分子膜表面接触可得出如图1—5所示的能带图。由于高聚物表面有许多表面能
级，从而会使能带发生弯曲，而与粘尘垫接触时更助长了这种弯曲。在外电场作用下，Schottky效应使界面势垒咖。。降低至咖。，从而载流子易于从金属向高聚物注入。此外用光激发也可导致从金属的载流子注入到高聚物表面上。另一种向高聚物注入载流子的方法是与无机或有机光导体形成复合膜的方法。光照下光导层中所
产生的光生载流子可高效地注入高聚物层中。